1.4nm工藝至關重要!Intel 2025年之后穩定領先
目前,Intel正在按計劃實現其“四年五個制程節點”的目標,Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。
2024-05-11 10:01:27
來源:快科技??

這幾年,Intel以空前的力度推進先進制程工藝,希望以最快的速度反超臺積電,重奪領先地位,現在又重申了這一路線,尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝,在未來鞏固自己的領先地位。

目前,Intel正在按計劃實現其“四年五個制程節點”的目標,Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量產。

其中,Intel 3作為升級版,應用于服務器端的Sierra Forest、Granite Rapids,將在今年陸續發布,其中前者首次采用純E核設計,最多288個。

Intel 20A和Intel 18A兩個節點正在順利推進中,分別相當于2nm、1.8nm,將繼續采用EUV技術,并應用RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術。

憑借它們兩個,Intel希望能在2025年重奪制程領先性。

之后,Intel將繼續采用創新技術,推進未來制程節點的開發和制造,以鞏固領先性。

其中一個關鍵點就是High NA EUV技術,而數值孔徑(NA)正是衡量收集和集中光線能力的指標。

通過升級將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學系統,High NA EUV光刻技術能夠大幅提高分辨率,從而有助于晶體管的進一步微縮。

作為Intel 18A之后的下一個先進制程節點,Intel 14A 1.4nm級就將采用High NA EUV光刻技術。

為了制造出特征尺寸更小的晶體管,在集成High NA EUV光刻技術的同時,Intel也在同步開發新的晶體管結構,并改進工藝步驟,如通過PowerVia背面供電技術減少步驟、簡化流程。

此外,Intel還公布了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A的數個演化版本,以幫助客戶開發和交付符合其特定需求的產品。

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